山東天岳先進材料科技有限公司于2010年注冊成立，主要經營藍寶石和碳化硅半導體單晶襯底的生產。并于2012年實現(xiàn)產房建成并且投入生產。為推動國家半導體單晶襯底高新技術邁進了強有力的一步。
6月27日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織專家在濟南召開山東天岳先進材料科技有限公司“4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料”項目科技成果鑒定會。鑒定委員會通過聽取工作報告、技術報告、檢驗報告等，審查相關資料，考察科研生產現(xiàn)場，一致認為：該成果創(chuàng)新點突出，為國內領先、并達到國際先進水平，同意通過鑒定。
據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準，美軍干擾機和“宙斯盾”驅逐艦的相控陣雷達已開始換裝碳化硅基微波器件產品，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
山東天岳先進材料科技有限公司研制的4英寸高純半絕緣SiC半導體材料的成功推出，對我國功率器件、深亞微米器件和微波功率器件的開發(fā)和應用具有重要的意義。