北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理安國雨。新華網(wǎng)發(fā)
目前，第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為主，這兩種材料的技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了相對成熟的階段。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司（以下簡稱“國聯(lián)萬眾”）是第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)和運營單位，正在建設(shè)第三代半導體研發(fā)創(chuàng)新公共平臺，業(yè)務(wù)包括第三代半導體工藝、封裝測試、可靠性檢測以及科技服務(wù)。
國聯(lián)萬眾總經(jīng)理安國雨在接受新華網(wǎng)專訪時表示，“國聯(lián)萬眾就是要解決第三代半導體核心芯片自主可控，把關(guān)鍵核心技術(shù)掌握在自己手中。只有把關(guān)鍵核心技術(shù)掌握在自己手中，才能從根本上保障國家經(jīng)濟安全、國防安全和其他安全。作為國家級眾創(chuàng)空間，國聯(lián)萬眾很榮幸加入到中國第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的平臺構(gòu)建的團隊中。”
談到該第三代半導體發(fā)展平臺，安國雨告訴記者，“該平臺采取開放聯(lián)合、共享合作的方式，為北京發(fā)展第三代半導體提供研發(fā)支撐和條件保證；下一步將吸引國內(nèi)外第三代半導體設(shè)計、封裝、應(yīng)用及金融、服務(wù)等企業(yè)入駐順義園區(qū)，形成集聚效應(yīng)，培育和打造第三代半導體龍頭企業(yè)，實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，為北京發(fā)展成為全球第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略高地起到引領(lǐng)和帶動作用。”
SiC和GaN寬禁帶半導體材料為代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和速度高等特性，適于制作抗輻照、耐高溫、高頻、大功率和高可靠的電子器件，在無線通信、電力電子、航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，是目前國際研究的熱點。
安國雨認為，“GaN和SiC功率器件是提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐，是電力電子、微波射頻器件的’核芯’。”即使SiC和GaN材料發(fā)展趨勢迅猛，安國雨始終堅信“一代材料一代器件一代裝備”，裝備的性能由核心器件決定。即使面對國際市場壟斷的可能性，國聯(lián)萬眾更加堅定走自主研發(fā)路線，盡全力打造“中國創(chuàng)造”的品牌。
國聯(lián)萬眾擁有一批從事核心材料、芯片、封裝等領(lǐng)域的專業(yè)人才和團隊，擁有核心專利和專有技術(shù)，其GaN功放產(chǎn)品已在國內(nèi)著名通訊公司得到批量應(yīng)用，產(chǎn)品水平和國際同步，部分產(chǎn)品達到國際領(lǐng)先水平。安國雨表示，“在人才培養(yǎng)上，國聯(lián)萬眾堅持‘國家利益高于一切’企業(yè)理念，以‘報國、強企、富民 ’的目標，使國家、企業(yè)、個人三者利益高度統(tǒng)一，讓事業(yè)留人、待遇留人、感情留人，讓骨干人員有強烈的責任感和榮譽感。”
安國雨表示，現(xiàn)階段急需能夠把技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品的一流人才，更需要把產(chǎn)品轉(zhuǎn)化為產(chǎn)業(yè)的人才。國聯(lián)萬眾希望對發(fā)展做出貢獻的骨干團隊給予股權(quán)獎勵，鼓勵員工為企業(yè)創(chuàng)造價值，同時自己獲得長久收益。也希望國聯(lián)萬眾可以積極引進國內(nèi)外高端人才，和公司原有人才互相補充，通過引進、消化吸收再提高的方式培育高端人才團隊。
近年來，北京市科委通過科技新星、領(lǐng)軍人才等專項對第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需人才給予科研經(jīng)費支持。安國雨表示，“在推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面，北京市科委做了大量的工作。一是與順義區(qū)政府聯(lián)合共建第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，目前基地主體工程已建成；二是圍繞GaN和SiC第三代半導體材料、器件、應(yīng)用系統(tǒng)布局，組織科研院所與企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)，并積極推動SiC電力電子器件在新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用，推動GaN射頻器件在5G通訊中的應(yīng)用。”
北京市全國科技創(chuàng)新中心的定位是全球科技創(chuàng)新引領(lǐng)者、高端經(jīng)濟增長極、創(chuàng)新人才首選地、文化創(chuàng)新先行區(qū)和生態(tài)建設(shè)示范城。為支撐首都“國際交往中心和科技創(chuàng)新中心”的建設(shè)，進一步發(fā)揮北京市國際科技合作基地的引領(lǐng)和示范作用，北京市科委遵循科學嚴謹?shù)墓ぷ髟瓌t，嚴格規(guī)范合作基地的審定程序及基地建立后的管理措施，整合資源，創(chuàng)新模式，第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)取得了明顯成效。
在加快全國科創(chuàng)中心建設(shè)方面，安國雨給出了建議。第一，發(fā)揮北京區(qū)位優(yōu)勢，吸引第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢企業(yè)入駐第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新基地，形成產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系和可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境，從戰(zhàn)略高度，全面、深入整合和利用國際資源，聯(lián)合起來共謀發(fā)展，促進我國第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)從跟跑到并跑最終實現(xiàn)領(lǐng)跑。第二，加快解決體制機制問題，破解影響科技創(chuàng)新及其成果產(chǎn)業(yè)化的制度性障礙。努力擇天下英才而用之，著力解決創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化難、創(chuàng)新企業(yè)融資難、知識產(chǎn)權(quán)保護難等多類問題。第三，加大眾創(chuàng)空間支持力度，營造良好的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)環(huán)境，促進科技中介服務(wù)集群化發(fā)展，推動科技與金融緊密結(jié)合，支持各類研發(fā)創(chuàng)新機構(gòu)發(fā)展，建造更多開放便捷的眾創(chuàng)空間，強化對科技創(chuàng)新中心建設(shè)的法治保障，進一步營造大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新的濃厚氛圍。（谷雨/文）